2026-09-10 · Fuente：TechPowerUp
Tres de cada cuatro apilamientos HBM3E del fabricante chino de memoria resultan defectuosos: se culpa a la tecnología TSV inmadura, mientras Samsung, SK hynix y Micron avanzan hacia el muestreo de HBM4E.
Según la prensa surcoreana, el gigante chino de la memoria CXMT operaría con un rendimiento de apenas el 25 % en HBM3E, de modo que tres de cada cuatro apilamientos producidos salen defectuosos. Esta revelación llega apenas unas semanas después de que, a finales del mes pasado, se supiera que la compañía había iniciado la producción en riesgo de memoria HBM3E en tiradas limitadas, un hecho que en su momento se dio a conocer con muy pocos detalles. Aquel informe anterior también situaba a CXMT dos generaciones por detrás de Samsung, SK hynix y Micron, que ya progresan con el muestreo de HBM4E.
El déficit pone de relieve lo mucho más intrincado que resulta apilar DRAM en comparación con la fabricación planar de DRAM, terreno en el que, según los informes, CXMT destaca. Los bajos rendimientos se atribuyen a la inmadurez de la tecnología de vías a través del silicio (TSV) que la compañía emplea en su proceso de apilamiento. CXMT ha forjado su reputación en la producción convencional de DRAM planar, pero la transición hacia la memoria apilada verticalmente se ha revelado considerablemente más difícil.
De acuerdo con el desglose publicado, la fabricación de front-end de CXMT alcanza rendimientos en torno al 30 %, mientras que su procesamiento de back-end aporta aproximadamente un 70 % sobre esa base, un efecto acumulativo que da como resultado la cifra global del 25 % que ahora se atribuye a la compañía.
La brecha en TSV frente a los jugadores consolidados es abismal. Samsung despliega alrededor de 5.000 TSV por capa en HBM2, mientras que SK hynix recurre a más de 8.000 por capa en su HBM3. CXMT, en cambio, intenta desarrollar HBM3E con solo 3.000 TSV por capa, y además trata de integrar ocho capas en la configuración habitual 8-Hi.
Etiquetas: CXMT · HBM3E · TSV · DRAM · Samsung · SK hynix
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