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Más de 400 capas y 42 Gb/mm²: la NAND G11 de Micron apunta a duplicar la densidad de bits

2026-10-23 · Fuente:Tom's Hardware

Más de 400 capas y 42 Gb/mm²: la NAND G11 de Micron apunta a duplicar la densidad de bits

La velocidad de interfaz de 5,400 MT/s significa que el salto de densidad viene emparejado con un ancho de banda orientado a cargas de trabajo de SSD donde el rendimiento es crítico, y no solo a capacidad barata.

Cuarenta y dos gigabits por milímetro cuadrado. Esa es la densidad de bits que Micron reclama para su NAND 3D G11 de próxima generación, un diseño construido sobre una pila de capas que supera los 400 niveles y posicionado como una duplicación aproximada de la densidad del silicio anterior.

La densidad es la palanca silenciosa de la economía NAND. Cuando más bits caben en la misma superficie de dado, cada oblea rinde más capacidad vendible y la estructura de costos detrás del precio por terabyte se desplaza. Para los fabricantes de SSD, un proceso de 42 Gb/mm² abre margen para ensamblar unidades a capacidades que antes habrían requerido muchos más dados: la ruta directa hacia el almacenamiento de capacidad extrema que Micron está señalando con G11.

La segunda cifra destacada es la velocidad de interfaz: 5,400 MT/s. El rendimiento de la interfaz gobierna la rapidez con la que los datos se mueven entre la matriz NAND y el controlador, y a este ritmo Micron presenta G11 como algo más que una jugada de capacidad. Es silicio diseñado para alimentar cargas de trabajo hambrientas de rendimiento: la otra mitad del par de capacidad extrema y rendimiento extremo que la empresa promete para los SSD de próxima generación.

Para los compradores de infraestructura de IA, el almacenamiento se ha convertido cada vez más en un problema de programación: los clústeres de aceleradores permanecen inactivos mientras los conjuntos de datos fluyen desde el disco. Una mayor densidad de bits reduce el silicio (y, por extensión, la huella de rack) necesario para mantener corpus grandes cerca del cómputo, mientras que una interfaz más rápida ataca el otro lado de ese cuello de botella. Pocas generaciones de NAND mueven ambos diales a la vez; las ganancias de densidad históricamente han ido en detrimento de la velocidad, razón exacta por la que las reclamaciones simultáneas de G11 en ambas métricas atraerán el escrutinio de quienes especifican el almacenamiento del centro de datos.

Por ahora, son afirmaciones de una hoja de ruta más que cifras de un producto ya a la venta. Pero si G11 llega con sus números de densidad e interfaz intactos, fija de nuevo la referencia de lo que se puede esperar de un SSD empresarial en capacidad y rendimiento.

Etiquetas: Micron · G11 3D NAND · 3D NAND · SSD · NAND Flash · Memory


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